首页科研技术研发团队

公司的核心研发团队成员均来自业内半导体材料行业的资深技术专家。

关键成员均来自世界先进的半导体研究中心和全球知名的半导体硅片公司,长期从事半导体材料研究和技术开发,在半导体材料领域成功突破多项技术难题。

覆盖晶体生长,材料表征,硅片制造工艺及检测监控分析等可靠性方面的研究,在新产品开发和实施,引领技术发展和技术转移方面具备强大的实力。

技术领域

i.在大直径、无缺陷晶体生长方面,团队的卓越而独特的热场设计,结合模拟温度分布和流场动态分析,为研发提供了强大的技术支持。 ii.在切磨抛、清洗方面,团队的先进经验使产品平坦度、颗粒水平提升到世界一流水平。 iii.在硅片外延方面,由国际专家和中国国内工程师组成的团队在外延厚度控制、金属控制方面取得重大突破,并成功量产。

专利布局

新昇成立至今,在全球申请了572项专利,其中在中国大陆及台湾地区申请了502项专利,主要是在拉晶生长,硅晶圆衬底工艺,外延材料生长及材料工艺等方面进行专利布局,已获得了201项专利授权,其它专利申请已经受理且正在审批中。

科研专项

公司目前承担国家2项02科技重大专项,包括“40-28nm集成电路制造用300mm 硅片技术研发与产业化”专项,以及“20-14nm集成电路用300mm硅片成套技术开发与产业化”专项;除此之外,公司还承担了国家级智能制造项目以及上海临港地区战略性新兴产业项目。

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